半导体光刻仿真核心功能详解：从光场模拟到缺陷检测

半导体光刻仿真的核心功能包括：

1. 光场模拟：通过光学传输模型，模拟光源照射到掩模上的光场分布，包括光强、相位和偏振等参数。

2. 掩模模拟：对掩模（也称为掩膜或光刻掩模）进行模拟，包括掩模的几何形状、透射率和相位等参数。这些参数会影响到光场在掩模上的传播和衍射效应。

3. 光刻过程仿真：通过光学传输模型，模拟光场从掩模上的传播过程，包括光的衍射、衍射和干涉等效应。这些效应会影响到光刻过程中图案的形成和分辨率。

4. 聚焦深度仿真：模拟光学系统的聚焦深度，即焦点的深度范围。聚焦深度对于光刻过程中的图案分辨率和曝光均匀性有重要影响。

5. 光刻参数优化：通过对光刻过程中的各种参数进行优化，如光源形状、波长、曝光时间等，来获得更好的图案分辨率和均匀性。

6. 偏移和拼接仿真：对于多级光刻或多层结构的光刻，模拟不同层之间的偏移和拼接效应，以确保各层之间的对准和重叠性。

7. 缺陷检测仿真：模拟光刻过程中可能出现的缺陷，如光刻胶的不均匀性、残留物、剥离等，以帮助提前发现和解决潜在的问题。

8. 曝光剂仿真：对光刻过程中使用的曝光剂进行仿真，包括曝光剂的化学反应、光敏剂的分解和光刻胶的固化过程等。

这些核心功能可以帮助工程师和研究人员预测和优化半导体光刻过程中的各种影响因素，以提高光刻图案的分辨率、均匀性和生产效率。