双极性场效应管 (BJFET) 的起源: 1959 年贝尔实验室的开创性文献

1959 年，美国贝尔实验室的物理学家 J. T. Wallmark 首次提出了双极性场效应管的概念，该概念来自其发表的文献《A New Field-Effect Transistor with Bipolar Action》。这篇文献描述了一种新型场效应管，由两个 PN 结组成，其中一个 PN 结是正向偏置的，另一个是反向偏置的。这种结构可以实现电子和空穴的注入和收集，从而实现双极性的场效应管。该发明为后来的 MOSFET 等器件的发展奠定了基础。