氮化镓电子和空穴寿命：范围、因素和参考文献
氮化镓的电子和空穴寿命取决于其材料结构和制备方法等因素。一般来说，氮化镓的电子寿命在纳秒到微秒的范围内，空穴寿命也在同样的时间尺度内。
以下是一些参考文献：
-
'Carrier dynamics in GaN: A comprehensive review', Y. Li, et al., Applied Physics Reviews 6, 031301 (2019).
-
'Electron and Hole Lifetimes in GaN', R. A. Arif, et al., Journal of Applied Physics 84, 7405 (1998).
-
'Time-resolved photoluminescence studies of GaN epitaxial layers grown by molecular beam epitaxy', E. Monroy, et al., Journal of Applied Physics 88, 5610 (2000).
原文地址: https://www.cveoy.top/t/topic/mRR5 著作权归作者所有。请勿转载和采集!