CMOS技术在射频电路中的应用：挑战与机遇

随着MOSFET通道长度的不断缩小和具有良好性能参数的芯片上被动器件（如电感器），CMOS技术已成为实现射频（RF）电路模块（如低噪声放大器（LNA）、振荡器和混频器）的可行选择[1-8]。然而，通过缩小MOSFET通道长度，与短通道效应相关的问题，如漏极诱导势垒降低（DIBL）[9]、穿透和热载流子变得重要。在NMOSFET中，将偏置电压施加到器件端口自然地...