基于CMOS技术的射频电路设计：短沟道效应的挑战与解决方案

随着CMOS技术不断发展，MOSFET的通道长度不断缩小，芯片上被动器件如电感器的性能参数也不断提升，这使得CMOS技术成为实现射频（RF）电路模块（如低噪声放大器（LNA）、振荡器和混频器）的可行选择[1-8]。

然而，MOSFET通道长度的缩短也带来了新的挑战，即短沟道效应。短沟道效应会导致一系列问题，例如漏极诱导势垒降低（DIBL）[9]、穿透和热载流子效应。这些问题会严重影响器件和电路的性能，例如降低增益、增加功耗和噪声等。

在NMOSFET中，将偏置电压应用于器件的端口自然地……