2、在光刻中图形的疏密程度会引起光刻后的线条发生变化这是要避免的下图的图形如何在设计阶段进行优化请结合这个图形分别画出优化前、优化后的光刻版正胶图形。

在设计阶段进行优化时，可以通过以下方式来避免光刻后的线条发生变化：

1. 控制图形的疏密程度：在设计阶段，可以根据光刻工艺的要求，合理调整图形的疏密程度。疏密程度过大会导致光刻后线条发生变化，因此可以通过增加或减少图形之间的间距来调整疏密程度。

2. 使用光刻技术所能实现的最小线宽：在设计阶段，需要根据光刻工艺的要求，选择合适的最小线宽。如果图形中存在线宽小于光刻工艺所能实现的最小线宽的部分，光刻后这些细线可能会出现变形或者消失。因此，在优化图形时，需要将线宽小于最小线宽的部分进行调整。

下图为优化前的光刻版（正胶）图形：

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下图为优化后的光刻版（正胶）图形：

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在优化后的图形中，我们通过增加图形之间的间距，使得整体图形的疏密程度更加均匀，避免了光刻后线条发生变化的情况