热载流子应力对NMOSFET和LNA性能的影响研究

摘要 研究了热载流子应力（HCS）对0.18微米CMOS技术制造的NMOSFET和由NMOSFET制成的全集成低噪声放大器（LNA）性能的影响。HCS对单个NMOSFET的主要影响是阈值电压增加和通道载流子迁移率下降，导致晶体管偏置电流下降。在晶体管的小信号模型中，热载流子效应表现为跨导下降和输出电导增加。由于热载流子，测试器件中的寄生栅源和栅漏电容没有明显变化。LNA中热载流子的主要影响是功率增益下降和噪声系数增加。输入和输出匹配S11和S22在热载流子应力后略微增加。LNA的第三阶输入参考截止点（IIP3）在应力后有所改善。这被认为是由于LNA中晶体管在特定工作点处偏置时，其电流-电压（I-V）特性的线性度得到改善。

2005 Elsevier Ltd. 版权所有。