单个GaN纳米线超快光学显微镜研究揭示其固有特性

总之，我们对单个GaN纳米线进行了超快光学显微镜实验，研究了位置、偏振和泵浦光强度的变化。泵浦光强度相关的实验结果与之前对GaN纳米线集合体的测量结果一致，揭示了密度相关的载流子弛豫，可能是由于激光诱导的镓空位相关复合物的转变。与之前对GaN纳米线集合体的测量结果不同，我们观察到了偏振相关的弛豫动力学各向异性，这是由于平行和垂直于纳米线轴线偏振的光吸收差异所致。最后，与其他半导体纳米线材料的超快光学显微镜实验不同，我们的测量结果显示，随着纳米线直径的变化，DT/T信号出现了令人惊讶的变化，对应于较大端的态填充和较小端的感应吸收。这些首次对单个GaN纳米线的超快光学显微镜实验结果揭示了它们的固有特性，对其在纳米光子学和纳米电子学中的潜在应用产生了影响。