翻译As explained in the introduction damages in theform of interface traps created by hot carriers in theNMOSFETs cause an increase of its threshold voltageand also a drop in the electron s mobility in
正如介绍中所解释的那样，NMOSFET中由热载流子创建的界面陷阱形式的损伤会导致其阈值电压增加，并且通道中的电子迁移率下降。n型MOSFET的阈值电压可以用器件参数来表示。
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