翻译This paper evaluated for the first time how the precursor density close to the interface of junctionless nanowire transistors affects the response of such devices to the NBTI effect as the temperatu

本文首次评估了结构无源纳米线晶体管界面附近的前体密度对该类器件对NBTI效应响应的影响，以及温度变化对该效应影响的影响。首先，本文展示了氧空位前体在界面附近的变化（N0），决定了Nit，可以改变晶体管的操作模式，导致在偏置为部分耗尽区域时VTH退化由于NBTI而饱和。最后，本文证明了温度升高主要影响处于积累状态的器件，因为在高温下，复合速率和陷阱占据率增加，导致阈值电压的退化更加严重。