翻译Fig 11 Degradation of ΔVTH with the temperature variation for devices with different W and NA biased at different VGT for VDS of −50 mV resultant from a stress time of 103 s
图11. 不同W和NA的器件在不同VGT偏置下，随温度变化而ΔVTH降解，对应于103秒的应力时间，VDS为-50 mV。
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