翻译In addition to the generation of interface traps explained above as hot electrons in the channel flow from the source towards the drain terminal due to scatteringsome of them may be redirected towa

除了上面解释的界面陷阱的产生之外，当通道中的热电子从源极流向漏极时，由于散射，其中一些电子可能会被重定向到栅氧化物并穿透到栅氧化物中。这些电子中的一部分被称为幸运电子，会永久地留在栅氧化物中，并被称为被困电荷[19]。栅氧化物中的被困电荷增加了阈值电压，因此影响了器件的I-V特性。然而，据报道，NMOSFET中热载流子引起的损坏的主要机制是漏极雪崩。