改写：CdS是n型半导体其带隙仅为24 eV在可见光下具有良好的光吸收性能135。此外由于其较高的载流子迁移速率和分离效率CdS在可见光下表现出优异的光催化性能136。然而CdS光催化剂有一个致命的弱点即具有较强的光腐蚀137这使得它难以广泛应用于工业领域。通过修饰CdS光催化剂可以有效地抑制CdS的光腐蚀同时其光催化性能也可以显著提高。

CdS被归为n型半导体，其带隙为2.4 eV，具备出色的可见光吸收性能[135]。此外，CdS的载流子迁移速率和分离效率较高，使其在可见光下呈现出卓越的光催化性能[136]。然而，CdS的光催化剂存在一个致命的缺陷，即其容易被光腐蚀[137]，这限制了其在工业领域的广泛应用。通过对CdS光催化剂进行修饰，可以有效地抑制其光腐蚀，同时提高其光催化性能。