实现一个NorFlash读写算法

NorFlash是一种非易失性存储器，可以用于嵌入式系统中存储程序代码和数据。NorFlash具有分页结构，每个页面通常包含512字节或2048字节。下面是一个简单的NorFlash读写算法的实现：

读取NorFlash

读取NorFlash的过程通常是通过发送读取命令，指定读取地址，然后从NorFlash中读取数据。以下是读取NorFlash的函数：

void readNorFlash(uint32_t address, uint8_t* buffer, uint32_t length) {
    // 发送读取命令
    sendCommand(READ_COMMAND);
    // 发送地址
    sendAddress(address);
    // 读取数据
    readData(buffer, length);
}

其中，sendCommand()函数用于发送读取命令，sendAddress()函数用于发送读取地址，readData()函数用于从NorFlash中读取数据。

写入NorFlash

写入NorFlash的过程通常是通过发送写入命令，指定写入地址，然后从缓冲区中写入数据。以下是写入NorFlash的函数：

void writeNorFlash(uint32_t address, const uint8_t* buffer, uint32_t length) {
    // 发送写入使能命令
    sendCommand(WRITE_ENABLE_COMMAND);
    // 等待写入使能完成
    waitWriteEnable();
    // 发送写入命令
    sendCommand(WRITE_COMMAND);
    // 发送地址
    sendAddress(address);
    // 写入数据
    writeData(buffer, length);
    // 等待写入完成
    waitWriteComplete();
}

其中，sendCommand()函数用于发送写入命令和写入使能命令，sendAddress()函数用于发送写入地址，writeData()函数用于从缓冲区中写入数据，waitWriteEnable()函数用于等待写入使能完成，waitWriteComplete()函数用于等待写入完成。

擦除NorFlash

擦除NorFlash的过程通常是通过发送擦除命令和擦除地址来完成。以下是擦除NorFlash的函数：

void eraseNorFlash(uint32_t address) {
    // 发送擦除使能命令
    sendCommand(ERASE_ENABLE_COMMAND);
    // 等待擦除使能完成
    waitWriteEnable();
    // 发送擦除命令
    sendCommand(ERASE_COMMAND);
    // 发送地址
    sendAddress(address);
    // 等待擦除完成
    waitWriteComplete();
}

其中，sendCommand()函数用于发送擦除命令和擦除使能命令，waitWriteEnable()函数用于等待擦除使能完成，waitWriteComplete()函数用于等待擦除完成。