开关电源效率优化：减小死区时间提高效率

"减小死区时间有助于提高效率"是正确的说法。死区时间指的是在MOSFET切换过程中，同时两个MOSFET都处于导通或者关断状态的时间间隔。减小死区时间可以减少功率损耗，提高效率。\n\n其他说法都是不正确的：\n\n选用低导通电阻的MOSFET并不一定可以提高效率。MOSFET导通电阻的大小只是影响开关过程中的功率损耗，但并不直接决定整个开关电源的效率。\n\n提升MOSFET开关速度可以减小MOSFET的损耗并不正确。虽然较快的开关速度可以减少切换过程中的开关损耗，但同时也会增加开关过程中的开关噪声和开关损耗。因此，提升MOSFET开关速度并不一定可以减小MOSFET的总损耗。\n\n开关频率越高，并不意味着电感的磁损越低。开关频率的增加会导致电感元件中的交流损耗增加，进而降低整个开关电源的效率。因此，开关频率越高，并不一定会降低电感的磁损。