微电子工业发展趋势：高介电常数栅介质材料的应用
微电子工业发展迅猛，特征尺寸变小且器件数量增多，SiO2栅厚度接近物理极限，需采用介电常数高的栅介质薄膜材料以增大饱和驱动电流。
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微电子工业发展迅猛，特征尺寸变小且器件数量增多，SiO2栅厚度接近物理极限，需采用介电常数高的栅介质薄膜材料以增大饱和驱动电流。
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