DRAM 芯片地址线复用技术：节省引脚，提高存储容量

为节省引脚数，DRAM 芯片大都采用地址线复用技术。假定一个 DRAM 芯片的地址引脚线为 8 根，则该芯片的存储阵列 1 中有 512 个位单元。

一个 DRAM 芯片的地址引脚线为 8 根，那么可以通过地址线的各种组合来寻址芯片中的不同存储单元。一般来说，DRAM 芯片中的地址线会被复用，即同一根地址线可以用于不同的功能。比如，同一根地址线可以用于行地址和列地址的寻址，或者用于读写控制信号的输入。

假设该 DRAM 芯片采用的是行地址和列地址复用的方案，那么每个存储阵列会被分成若干个行和列，每个行和列需要一定数量的地址线来寻址。假设该 DRAM 芯片每个存储阵列有 64 行和 1024 列，那么需要的地址线数量如下：

因此，该 DRAM 芯片需要的地址线总数为 6+10=16 根。由于 8 根地址线是不够的，因此需要采用地址线复用技术。

具体来说，该 DRAM 芯片可以将 8 根地址线分成两组，一组用于行地址，一组用于列地址。假设前 4 根地址线用于行地址，后 4 根地址线用于列地址，则每个存储阵列需要的地址线数量如下：

因此，每个存储阵列中的位单元数为 2^4 * 2^4 = 256 个。由于该 DRAM 芯片有两个存储阵列，因此总共有 2*256=512 个位单元。