负电容场效应晶体管：利用铁电材料实现体参数小于1

根据以上理论，我们可以在传统的 MOS 器件的栅介质层上附加铁电材料，利用铁电材料的负电容效应来调控 MOS 结构的电容，实现器件的体参数小于1。该种 MOS 结构晶体管含有铁电介质层，被称为负电容场效应晶体管。

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