降低短沟道效应影响及阈值电压的模型设计
为了尽量减少短沟道效应的影响,沟道长度在图4所示的模型中被设定为0.2um。同时,为了在实际工艺制备过程中更易于实现并获得较低的阈值电压,栅氧化层的厚度被设置为2nm。
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为了尽量减少短沟道效应的影响,沟道长度在图4所示的模型中被设定为0.2um。同时,为了在实际工艺制备过程中更易于实现并获得较低的阈值电压,栅氧化层的厚度被设置为2nm。
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