NCFET：解决低功率密度整流难题的理想器件

目前，肖特基二极管和MOSFET是常用的整流器件，但是在输入信号功率密度较低的情况下，它们的整流效果都不太理想，整体效率也偏低。此外，肖特基二极管还存在与CMOS工艺不兼容的问题。相比之下，NCFET因为具有独特的性质，如极低的亚阈值摆幅SS、高开关电流比、简单的器件结构等，它的应用价值非常高，而且与硅半导体制造工艺完全兼容，所以有望提高整流电路在弱能量密度下的整流效率。