• 日期: 2026-11-14
  • 标签: 常规

进行瞬态特性仿真后，发现优化后的 NCFET 在整流方面具有更宽的范围，并且在低能量密度范围内表现出色。具体来说，当输入功率密度分别为 -10dBm 和 -6dBm 时，NCFET 的整流效率分别可达到 16.1% 和 29.75%，相比同等条件下 Si 基 MOS，分别高出了 7.15 倍和 2.3 倍。


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