NAND 指令微状态详解：数据通路、控制信号及步骤

NAND 指令微状态详解：数据通路、控制信号及步骤

本文将详细解析 NAND 指令的微状态执行流程，包括数据通路活动、控制信号的作用以及每个微状态的具体步骤，帮助您深入理解指令执行过程。

NAND 指令的微状态：

1. T1：MAR ← PC，PC ← PC + 1
2. T2：MDR ← M(MAR)，IR ← MDR
3. T3：ALUout ← PC + IR[7:0]
4. T4：MAR ← ALUout
5. T5：MDR ← M(MAR)，PC ← MDR

数据通路活动：

1. PC 的值被传递到 MAR 中。
2. 从内存中读取指令并传递到 MDR 中，同时将指令传递到 IR 中。
3. PC 值和指令中的偏移量相加，结果传递到 ALUout 中。
4. ALUout 中的值被传递到 MAR 中，准备从内存中读取数据。
5. 从内存中读取数据并传递到 MDR 中，同时将数据传递到 PC 中。

控制信号：

1. PCout、MARin：将 PC 的值传递到 MAR 中。
2. MemRead、MDRin、IRin：从内存中读取指令并传递到 MDR 中，同时将指令传递到 IR 中。
3. ALUSrcA、ALUSrcB、ALUAdd：选择 PC 作为 ALU 的源操作数 A，选择指令中的偏移量作为源操作数 B，并进行加法运算。
4. MARout、MemRead：将 ALU 的结果传递到 MAR 中，准备从内存中读取数据。
5. MemWrite、MDRout、PCin：将从内存中读取的数据传递到 MDR 中，同时将数据传递到 PC 中。