提升退火温度助力NCFET性能提升：消除回滞、增强电压增益
Li KS的研究结果表明，提高退火温度可以积极促进消除回滞和增加电压增益。在郝跃院士课题组的成功实验中，铪基锗和锗锡的NCFET被制备出来，这些器件展现了一系列典型的NCFET特性，例如电流增益、负微分电阻以及电容尖峰。这些结果系统地证明了NCFET在改善器件电学特性和亚阈值特性方面的潜力。
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Li KS的研究结果表明，提高退火温度可以积极促进消除回滞和增加电压增益。在郝跃院士课题组的成功实验中，铪基锗和锗锡的NCFET被制备出来，这些器件展现了一系列典型的NCFET特性，例如电流增益、负微分电阻以及电容尖峰。这些结果系统地证明了NCFET在改善器件电学特性和亚阈值特性方面的潜力。
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