半导体掺杂：改变材料特性，应用广泛

半导体掺杂是向半导体晶体中引入少量掺杂原子，以改变其电性质的过程。掺杂对半导体特性的影响如下：

1.掺杂改变了半导体的电子浓度和电子类型。掺入n型杂质（如磷、砷等）可使半导体导电性增强，成为n型半导体；掺入p型杂质（如硼、铝等）可使半导体导电性减弱，成为p型半导体。

2.掺杂改变了半导体能带结构。掺入n型杂质，会在导带上形成额外的能级，使得半导体能带结构向导电性方向移动；掺入p型杂质，会在价带上形成额外的能级，使得半导体能带结构向空穴方向移动。

3.掺杂改变了半导体的光学特性。掺入杂质后，半导体的吸收谱和发射谱都发生了变化，可以用于制造激光器和光电器件。

4.掺杂影响了半导体的热电特性。掺入杂质后，半导体的热导率和电导率都发生了变化，可以用于制造热电转换器件。

5.掺杂还可以改变半导体的机械性质，如硬度、弹性模量等，可以应用于制造传感器和微机械器件。