PN 结形成原理及伏安特性规律详解

PN 结的形成原理是，在 p 型半导体和 n 型半导体的交界处，由于材料中的杂质浓度不同，导致电子和空穴的浓度也不同，出现电子和空穴的扩散运动，最终在交界处形成一个电场，使得电子和空穴的扩散运动达到平衡，形成了 PN 结。

伏安特性规律是指在一定温度下，PN 结的电流与电压之间的关系遵循一定的规律。当 PN 结正向偏置时，电流随电压的增加呈指数增长，在一定电压范围内，电流增长较为缓慢，这是因为载流子的复合过程。反向偏置时，电流随电压的增加呈指数减少，反向电流很小，直到达到一定的反向电压时，反向击穿电压出现，电流突然增加，这是因为电子和空穴的撞击和电离过程导致的。