14KB 半导体存储器芯片数量计算与片选逻辑设计

该半导体存储器容量为 14KB，其中 0000H～1FFFH 为 RMO 区，2000H～37FFH 为 RAM，地址总线为 A15～A0（低），双向数据总线 D7～D0（低），读写 R/W。可选用的存储芯片有 EPROM（4KB/片）和 RAM（2K*4片）。

首先，需要计算需要多少个 EPROM 和 RAM 芯片来满足存储器的容量。

RMO 区占据了 8KB，因此需要 2 片 4KB 的 EPROM 来存储。RAM 区占据了 9.75KB，因此需要 5 片 RAM 来存储。注意到 RAM 芯片是 2K*4 片的，因此一片 RAM 可以存储 4KB 的数据。

接下来，需要设计片选逻辑表达式。由于存储器的地址总线只有 15 根，因此需要使用一个地址译码器来将地址译码成片选信号。可以使用 74LS138 这样的三选八译码器来实现。

首先，将 RMO 区和 RAM 区的地址范围分别编码为二进制数。RMO 区的地址范围为 0000H～1FFFH，对应的二进制数为 '00000000000000B'～'00011111111111B'。RAM 区的地址范围为 2000H～37FFH，对应的二进制数为 '00100000000000B'～'01111111111111B'。

接下来，根据需要的 EPROM 和 RAM 芯片数量，设计片选逻辑表达式。假设 EPROM 使用 A0～A1 作为片选信号，RAM 使用 A2～A4 作为片选信号。则可以得到以下片选逻辑表达式：

对于 EPROM：

CS_EPROM = /A0 * /A1

对于 RAM：

CS_RAM1 = /A2 * /A3 * /A4

CS_RAM2 = /A2 * /A3 * A4

CS_RAM3 = /A2 * A3 * /A4

CS_RAM4 = /A2 * A3 * A4

其中，/ 表示逻辑取反。这些表达式的含义是：

对于 EPROM，只有当 A0 和 A1 都为 0 时，才会选中 EPROM 芯片。
对于 RAM，根据 A2～A4 的取值，可以选中 1 片、2 片、3 片或 4 片 RAM 芯片。

需要注意的是，在实际设计中，片选逻辑表达式还需要考虑其他因素，例如芯片的使能信号、时钟信号等。此处仅给出了最基本的片选逻辑表达式。