基于RMO和DRAM芯片的半导体存储器设计与计算

首先计算存储器总容量为：(2K * 4 + 2K * 8 + 1K * 4) * 8 bit = 72K bit

由于存储器按照字节编址，因此需要将RMO区和RMA区分别连接到不同的芯片上。

RMO区地址范围为9800H～9FFFH，共有(9FFFH - 9800H + 1) = 400H = 1024 个字节，因此需要使用2K * 4的RMO芯片2片。其中，第一片的地址范围为9800H～9BFFH，第二片的地址范围为9C00H～9FFFH。

RMA区地址范围为A000H～ABFFH，共有(ABFFH - A000H + 1) = C00H = 3072 个字节，因此需要使用2K * 8的DRAM芯片4片和1K * 4的DRAM芯片1片。其中，2K * 8的DRAM芯片的地址范围为A000H～A7FFH、A800H～AFFFH、B000H～B7FFH、B800H～BFFFH，1K * 4的DRAM芯片的地址范围为A000H～A3FFH。

因为RMO芯片和DRAM芯片的片选信号是低有效的，所以逻辑表达式为：

RMO1 = ~A15 & ~A14 & ~A13 & A12 & ~A11 & A10 & A9 & A8 & ~A7 & A6 & A5 & A4 & ~A3 & ~A2 & ~A1 & ~A0 RMO2 = ~A15 & ~A14 & ~A13 & A12 & ~A11 & A10 & A9 & A8 & ~A7 & A6 & A5 & ~A4 & A3 & A2 & A1 & A0 DRAM1 = ~A15 & ~A14 & A13 & A12 & A11 & A10 & A9 & A8 & ~A7 & A6 & A5 & A4 & A3 & A2 & A1 & A0 DRAM2 = ~A15 & ~A14 & A13 & A12 & A11 & A10 & A9 & A8 & ~A7 & A6 & A5 & ~A4 & A3 & A2 & A1 & A0 DRAM3 = ~A15 & ~A14 & A13 & A12 & ~A11 & A10 & A9 & A8 & ~A7 & A6 & A5 & A4 & A3 & A2 & A1 & A0 DRAM4 = ~A15 & ~A14 & A13 & A12 & ~A11 & A10 & A9 & A8 & ~A7 & A6 & A5 & ~A4 & A3 & A2 & A1 & A0

因为RMO芯片和DRAM芯片的读写控制信号是高有效的，所以逻辑表达式为：

~R/W