负电容场效应晶体管 (NCFET) 技术：实现低电压、高性能 CMOS 器件

负电容场效应晶体管 (NCFET) 利用负电容效应实现负电容升压，从而降低 CMOS 器件的供电电压 VDD，实现高性能 CMOS 器件的亚阈值摆幅。NCFET 通过负电容效应 (Negative Capacitance Effect) 产生的负电容升压效应来减少 CMOS 器件的供电电压 VDD，以获得具有陡峭亚阈值摆幅的高性能 CMOS 器件。