LED巨量转移测试论文推荐：三篇值得关注的研究

以下是三篇关于LED巨量转移测试的相关论文及其主要概况：

'Investigation of LED Forward Voltage Instability Using Charge-Based Deep Level Transient Spectroscopy' (作者：Y. Sun, X. Wu, S. Zhang, Y. Liu, Y. Liu, Y. Wei, Z. Li, H. Wang, Y. Liu)

主要内容：本文利用基于电荷的深能级瞬态光谱学方法研究了LED正向电压的不稳定性，分析了LED芯片在高温和高电流密度下的电性特性。

'Analysis of Carrier Lifetime in GaN-Based Light-Emitting Diodes by Time-Resolved Photoluminescence' (作者：Y. Lin, C. Xu, X. Zhang, J. Wang, Y. Wang)

主要内容：本文利用时间分辨光致发光技术研究了GaN基LED中的载流子寿命，探索了寿命对LED性能的影响，提出了优化LED结构以提高效率的建议。

'Investigation of Surface Recombination Velocity in InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes' (作者：W. Zhang, B. Zhang, J. Li, H. Huang, X. Li, X. Zhang, Y. Zhang)

主要内容：本文研究了InGaN/GaN多量子阱LED中表面复合速度的影响，探究了表面反射率和电流密度对LED性能的影响，并提出了优化LED结构的建议。