PhotOFET 器件结构详解：底栅顶接触结构的优势

PhotOFET 器件由栅电极、衬底材料、绝缘层、有机活性层及源漏电极组成。根据三个电极与活性层的相对位置，最基本的结构分为底栅底接触、底栅顶接触、顶栅顶接触和顶栅底接触。

底栅结构的器件可采用覆盖氧化硅的单晶硅作为栅极和栅介质层，有利于生长均匀性好的有机薄膜。对于顶栅结构的器件，其栅介质薄膜的制备过程可能会对下层有机活性层薄膜产生损伤，影响器件性能。

底接触的源漏电极易于制备和图形化，但接触电阻较大。而顶接触电极接触电阻较小，迁移率相对较高。因此，多数光敏有机场效应晶体管采用底栅顶接触结构。