拓扑绝缘体中量子反常霍尔效应的实现：基于铁磁序的掺杂方法

直至2004年，二维材料的成功制备和拓扑绝缘体的理论预言，尤其是2010年牛谦研究小组和方忠研究小组提出的理论方案，使得拓扑现象受到实验科学家的真正关注。这些理论方案利用材料的自旋轨道耦合和铁磁序作用，基于石墨烯和三维拓扑绝缘体薄膜实现量子反常霍尔效应。本文以Bi2Se3掺杂Cr或Fe原子体系为例，探讨如何通过引入铁磁序在拓扑绝缘体中实现量子反常霍尔效应。