碳化硅DSRD器件仿真分析：优异的开关性能

SiC DSRD 器件进行了仿真，如图 3-3 所示，为器件的结构图。设计目标碳化硅DSRD器件能有不错的开关性能，基区的厚度不能过大。本文仿真实验采用采用图3-1(c)所示的器件结构方案，其中基区厚度为0.2μm，宽度为50μm，漏区宽度为5μm，漏区长度为10μm，栅氧化层厚度为10nm，栅极宽度为1μm，栅极长度为50μm，源漏电阻为0.01Ω·mm。

在仿真中，采用Silvaco TCAD软件进行模拟，设定工作温度为300K，应用电压为正向电压5V，负向电压-5V，栅极电压为0V。仿真结果如下：

IV特性 在正向偏置下，器件呈现出良好的导通特性，电流随电压增加而增加，反向偏置下，器件呈现出较高的反向击穿电压，且反向漏电流较小。
开关特性 在开关特性测试中，设定开关电压为5V，器件开启时间为1ns，关闭时间为1ns，以50%的占空比进行重复测试。结果显示，器件开启时间为6.8ns，关闭时间为9.2ns，开关速度较快，满足高频开关应用的要求。

综上，仿真结果表明该碳化硅DSRD器件具有良好的导通特性和开关特性，适用于高频开关电路等应用。