肖特基势垒:半导体材料中的电势障碍
肖特基势垒是指在半导体材料中,由于材料的禁带宽度(能隙)和电子与空穴的载流子浓度差异而形成的电势垒。这个电势垒阻碍了电子和空穴的自由移动,从而影响了材料的电学性能。在半导体器件中,肖特基势垒常常被用来制作二极管、场效应管等器件。
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肖特基势垒是指在半导体材料中,由于材料的禁带宽度(能隙)和电子与空穴的载流子浓度差异而形成的电势垒。这个电势垒阻碍了电子和空穴的自由移动,从而影响了材料的电学性能。在半导体器件中,肖特基势垒常常被用来制作二极管、场效应管等器件。
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