漂移阶跃恢复二极管 (DSRD)：纳秒级开关技术的突破

20世纪80年代，前苏联的约飞物理研究院发明了几种新的脉冲功率器件，包括反向开关晶体管和漂移阶跃恢复二极管 (DSRD)。它们都是两端器件，触发电路简单易组成堆体。其中，反向开关晶体管是一种闭合型开关，适用于电容储能电路，开关时间在微秒级别；DSRD 则适用于电感储能电路，因为它关断速度在纳秒范围，能够实现很快的关断速度。DSRD 的脉冲发生器能够实现纳秒级的脉冲输出，重复频率能达到 MHz 级别。

1985年，俄罗斯科学家 I. V. Grekhov 等人第一次提出 DSRD 的概念。1995年，A. F. Kardo-Sysoev 等人发现单个 Si DSRD 的关断速度达到 2ns，工作电压最高达到 2kV。