g-C3N4/CdS 异质结构：提升半导体光催化性能的有效策略

g-C3N4和CdS作为目前半导体光催化剂中的研究热点，二者均具有可见光吸收、无毒、制备简单等优点，但仍有诸多弊端如载流子分离效率低等，阻碍着其光催化性能的优化进展。异质结构的构筑能实现载流子的有效分离，提升光催化性能。

因此，研究人员近年来开始探索将g-C3N4和CdS构建成异质结构，以期提高其光催化性能。其中，常见的构建方式有复合、修饰、掺杂等，通过这些方式调控g-C3N4和CdS的电子结构、光学性质和表面活性位点等，实现光催化性能的优化。

例如，一些研究表明，将g-C3N4和CdS复合后可以显著提高其光催化活性和稳定性，这是因为复合后的异质结构能够提高载流子的分离效率，增强光生电子和空穴的利用率。此外，一些研究还发现，将g-C3N4表面修饰或掺杂一些金属、非金属元素后，也能够有效提高其光催化性能，这是因为修饰和掺杂能够调节g-C3N4的电子结构和表面活性位点，增强其与CdS之间的相互作用，从而提高异质结构的光催化性能。

综上所述，构建g-C3N4/CdS异质结构是目前半导体光催化剂研究的热点之一，通过合理的构建方式能够实现光催化性能的优化，为光催化技术的应用提供了新的思路和方法。