B掺杂g-C3N4与CdS复合材料的光催化性能增强机制

B-g-C3N4的功函数为5.217eV，加入B原子，B-g-C3N4的功函数相对于g-C3N4（5.241eV）有所减少。B-g-C3N4的功函数小于CdS的功函数（5.974eV），所以，当 B掺杂的g-C3N4与 CdS表面接触时，在界面之间会产生一种内建电场，使电子从功函数较小的材料到功函数较大的材料进行传递，这就是一个这样的趋势，电子从B掺杂的g-C3N4向CdS进行迁移，直至B掺杂的g-C3N4与CdS的费米能级平衡。

这种内建电场的产生可以促进光生电子-空穴对的分离和传输，从而提高光催化性能。此外，B掺杂的g-C3N4的价带顶部和导带底部能级也会发生调整，使其更加适合光催化反应。因此，B掺杂的g-C3N4与CdS复合材料表现出了优异的光催化性能，可用于环境治理、能源转换等领域。