高金属功函数漏源电极：助力高效电子和空穴注入二维材料

高金属功函数的漏源电极可以提供更大的势垒，使电子和空穴能够更有效地注入二维材料中。以下是几个原因：

势垒高度：高金属功函数的电极与二维材料之间形成更高的势垒。这个势垒可以提供充足的能量差，以促使电子和空穴从金属电极注入到二维材料中。较高的势垒能够减少反向转移的可能性，因此更有效地实现电荷注入。
引导效应：高金属功函数的电极可以作为电子和空穴的引导器，促使它们向着二维材料移动。这是因为电子和空穴都倾向于向低能级移动，而高功函数电极形成的势垒在二维材料中形成一个'斜坡'，促使电子和空穴朝着二维材料移动。
接触电阻减小：高金属功函数的电极通常具有更好的接触性能，可以减小电极与二维材料之间的接触电阻。较低的接触电阻有助于电荷更好地注入二维材料中，并提高电流传输的效率。

综上所述，高金属功函数的漏源电极能够提供较大的势垒、促进电子和空穴的注入、减小接触电阻，从而实现更有效的电荷注入进二维材料中。这有助于提高器件的性能和可靠性。