MOSFET 漏极电流增加：类似于电路电阻变小？

是的，第二个情况可以类比为电路中的电阻变小，电流增大的情况。

在 MOSFET 中，当 Vds 保持不变时，增加 Vgs 会导致 MOSFET 处于更加导电的状态。可以将 MOSFET 视为一个可变电阻，Vgs 的增加相当于减小了这个'电阻'，从而允许更大的电流通过。因此，当 Vgs 增大时，由于 MOSFET 的导通特性改变，漏极电流 Id 会增大，类似于在电路中电阻变小时电流增大的情况。

需要注意的是，这种类比并不完全准确，因为 MOSFET 的电流传输机制是由电子的输运效应决定的，而不仅仅是电阻的变化。然而，这个类比可以帮助我们理解在给定条件下，Vgs 的增加会导致漏极电流 Id 的增加。