衬底偏置 (Substrate Bias) 详解:影响阈值电压和工作模式
衬底偏置 (Substrate Bias) 指的是在 MOSFET 中对衬底 (也称为底漏极或源接地) 施加的偏置电压。它可以用于控制 MOSFET 的阈值电压和增强/耗尽模式工作。通过调整衬底偏置电压,可以改变 MOSFET 的电流传输特性和工作状态。
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衬底偏置 (Substrate Bias) 指的是在 MOSFET 中对衬底 (也称为底漏极或源接地) 施加的偏置电压。它可以用于控制 MOSFET 的阈值电压和增强/耗尽模式工作。通过调整衬底偏置电压,可以改变 MOSFET 的电流传输特性和工作状态。
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