高质量硒化锡薄膜的化学气相沉积制备及性能研究

我们采用化学气相沉积 (CVD) 方法进行硒化锡 (SnSe2) 的生长调控，在这一章中，我们选择了一种以硒化亚锡为源，云母为基底 CVD 的合成方法。相对于常规的金属氧化物，硒化亚锡材料在制备过程中不会产生任何的杂质元素。此外，我们采用白云母作为范德华外延生长的衬底，理论条件下与吸附原子仅为范德华作用，并且通过使衬底温度提前到达反应温度和延长反应时间从而得到高质量的硒化锡薄膜。然后利用 X 射线衍射、拉曼光谱等表征手段对所制备的 SnSe2 薄膜测试，结果表明样品具有较好的结晶性。进一步对 SnSe2 薄膜的电学性能进行测试，在不同的栅压下，栅压从 0 V 到 50 V 变化，设定的栅压间隔步长为 10 V，测得源极和漏极之间的电流，表现出很好的栅压调控。

同时，我们还对样品的光学性质进行了测试，结果表明样品在可见光和近红外区域均有较高的吸收率。这说明硒化锡薄膜可以作为一种潜在的光电器件材料，例如光电探测器、太阳能电池等。

此外，我们还对硒化锡薄膜进行了表面形貌观察，发现其表面光滑，无明显的颗粒或缺陷。这对于材料的电学和光学性能有着重要的影响。

综上所述，我们采用化学气相沉积的方法成功地合成了高质量的硒化锡薄膜，并对其进行了全面的表征和测试。这为硒化锡材料的应用提供了一定的理论和实验基础。