高质量硒化锡薄膜制备及光电性能研究：基于CVD方法和白云母衬底

我们采用化学气相沉积（CVD）的方法进行硒化锡的生长调控，在这一章中，我们选择了一种以硒化亚锡为源，白云母为基底CVD的合成方法。相对于常规的金属氧化物，硒化亚锡材料在制备过程中不会产生任何的杂质元素。此外，我们采用白云母作为范德华外延生长的衬底，理论条件下与吸附原子仅为范德华作用，并且通过使衬底温度提前到达反应温度和延长反应时间从而得到高质量的硒化锡薄膜。然后利用X射线衍射、拉曼光谱等表征手段对所制备的SnSe2薄膜测试，结果表明样品具有较好的结晶性。进一步对SnSe2薄膜的电学性能进行测试，在不同的栅压下，栅压从0 V到50 V变化,设定的栅压间隔步长为10 V，测得源极和漏极之间的电流，表现出很好的栅压调控。

我们还对所制备的硒化锡薄膜进行了光学性质的研究，采用紫外可见吸收光谱测量了样品在可见光范围内的吸收率，结果显示样品的吸收率较高，表明硒化锡薄膜具有良好的光吸收性能。此外，我们还进行了光致发光（PL）测试，结果显示硒化锡薄膜具有较强的PL效应。这些结果表明，我们所制备的硒化锡薄膜具有良好的光电性能和潜在的应用价值。

总之，我们采用硒化亚锡为源，以白云母为基底的CVD方法成功制备了高质量的硒化锡薄膜，并对其进行了多种性质的测试和表征。这些结果为硒化锡材料的应用开发提供了新的思路和方法。