ETCH_VS_WIDTH_AND_SPACING 选项： 考虑图案形状的蚀刻和光刻效应

ETCH_VS_WIDTH_AND_SPACING 选项可帮助您在提取中考虑制造出的图案形状。蚀刻和光刻处理效应可能会导致蚀刻量随导体宽度和其与相邻特征的间距而变化。如果两侧的最近邻距离不同，同一导体的两个边缘上的蚀刻效应可能会不同。为了模拟具有多个蚀刻步骤的过程，请使用多个 ETCH_VS_WIDTH_AND_SPACING 选项。按照相应的蚀刻过程的顺序指定它们。请注意，如果涉及多色掩模流程，则 ETCH_VS_WIDTH_AND_SPACING 选项的每个出现可能包括多个表格。