0.13μm PMOS器件NBTI效应寿命评估模型研究

本文介绍了设计不同尺寸的NBTI测试结构，并详细描述了电路设计、仿真验证、版图实现、NBTI应力试验过程。实验和测试分析了器件的特性曲线和关键特征参数的退化，同时分析了NBT应力以及器件特征尺寸减小对NBTI效应的影响。通过阈值电压的退化量作为寿命评估标准，考虑温度、栅压、器件沟道长度以及沟道宽度对寿命的影响程度，建立了0.13μm仅考虑NBTI效应的寿命评估公式。通过比较寿命公式模型值与实验测试值，验证了寿命模型公式的正确性与精准度。最终推算出在Vgs=-1.2V，T=125℃的情况下PMOS器件的工作寿命为7年左右。