NBTI 效应影响研究：0.13μm PMOS 器件寿命评估模型

设计不同尺寸的 NBTI 测试结构，详细描述了电路设计、仿真验证、版图实现和 NBTI 应力试验过程，并分析了器件特性曲线和关键特征参数的退化。同时，研究了 NBT 应力和器件特征尺寸减小对 NBTI 效应的影响。以阈值电压的退化量 ΔVth 作为寿命评估标准，考虑温度、栅压、器件沟道长度和沟道宽度对寿命的影响程度，建立了 0.13μm 仅考虑 NBTI 效应的寿命评估公式。通过比较寿命公式模型值与实验测试值，验证了寿命模型公式的正确性和精准度。推算出在 Vgs=-1.2V，T=125℃ 的情况下 PMOS 器件的工作寿命为 7 年左右。