HCI 应力下器件阈值电压退化仿真分析：Halo 工艺与 LDD 工艺对比

本文通过仿真得出关键参数和阈值电压的分布，设置工艺参数波动范围为正负 1.5σ，即 414mV±28.4mV，分析了器件在 HCI 应力下 Vth 的不同退化情况。结果显示，Halo 工艺中注入能量波动影响最大，退化最严重；LDD 工艺中注入剂量波动影响最大；Halo 工艺中注入能量波动影响大于 LDD 工艺中注入剂量波动的影响。