工艺参数波动对器件Vth退化的影响：Halo工艺与LDD工艺对比
本文通过仿真得出了影响电路性能的关键参数和阈值电压的分布，并通过设置工艺参数的波动，分析了器件在经过HCI应力后，其Vth出现的不同的退化情况。结果发现，在Halo工艺中，注入能量的波动对器件的退化影响更严重，而在LDD工艺中，注入剂量波动的影响更大。对比两种工艺，发现在Halo工艺中，注入能量波动的影响大于LDD中注入剂量波动的影响。
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