0.18 微米 CMOS 工艺 NMOSFET 低噪声放大器 (LNA) 设计与实现

用于实验的单个晶体管是在商用 0.18 微米 CMOS 工艺中制造的 NMOSFETs。晶体管的通道宽度为 120 微米和 125 微米，栅氧化物厚度 tox = 40 A˚。LNA 的原理图如图 3 所示。该电路采用金属-绝缘体-金属电容和螺旋电感器进行完全集成。电阻 Rb 是通过在 p 型衬底中实现 N 型扩散来实现的。晶体管和 LNA 的布局采用输入和输出处的地-信号-地配置设计，以便使用 3 点探针测量散射 (S) 参数。