热载流子损伤对CMOS低噪声放大器性能的影响研究

在MOS集成电路中，由于'界面陷阱'和'捕获电荷'的存在，器件特性的退化可能会影响电路的性能。因此，研究热载流子损伤对由NMOSFET制成的电路性能的影响非常重要。最近，有一些关于单个NMOSFET和在CMOS技术中制造的射频电路的热载流子效应的研究已经报道[24-35]。对于CMOS低噪声放大器，已经进行了一些研究，以了解热载流子对其性能的影响；然而，在这些工作中，很少提供实验结果。在本文中，我们通过包括可用于寿命估计的单个NMOSFET的额外测量结果，更详细地分析了应力对单个器件噪声性能的影响，并提供了有关LNA参数提取的一些细节，扩展了我们先前发表的结果[35]。