界面陷阱电荷密度对MOSFET阈值电压影响的幂律关系研究

从公式 (2) 可以看出，界面陷阱电荷密度 Qit 的增加会导致阈值电压的增加。图 4 展示了在栅极电压 Vg = 0.7 V 和不同漏电压 Vds 值的应力条件下，阈值电压随应力时间的归一化变化曲线。

从图 4 中可以观察到，阈值电压随应力时间 t 的变化遵循如下形式的幂律：

(此处插入幂律公式)

这一结果表明，界面陷阱电荷在 MOSFET 的阈值电压漂移中起着至关重要的作用。未来将进一步研究不同应力条件下该幂律关系的具体形式，以及其对器件长期可靠性的影响。