MOSFET 阈值电压公式及参数解释

其中参数定义为，uB = VTln(NA/ni)；ni为本征电子浓度；VT = kT/q，热电压；NA为杂质浓度密度；q为电子电荷；es为硅介电常数；ums为栅极-衬底功函数差；Q0为氧化物中的固有电荷密度；Qit为界面陷阱电荷密度；Vsb为源-衬底电压。

原文地址: https://www.cveoy.top/t/topic/jnzF 著作权归作者所有。请勿转载和采集!